| Chiplet是什么?
Chiplet是一種全新的芯片設計理念。為了便于理解,咱們先來看看目前的芯片是怎么設計出來的。
大家會經常聽到SoC這樣一個芯片代名詞。它是把很多的功能模塊,比如CPU、存儲器、接口這些通通集成在一個芯片上,做成一個大芯片。
而Chiplet呢,與SoC反其道而行之,字面上翻譯叫做“芯粒”,可以理解為小芯片的意思。
在Chiplet設計理念下,是將原本SoC中的每個功能模塊都單獨拆出來,做成具有單獨功能的一個個小芯片單元。

之后,通過先進封裝技術,像搭積木一樣,把這些小芯片再集成為一個系統級芯片。

| Chiplet、 SoC、SiP的區別
SoC(system on chip)叫做片上系統。是圍繞CPU,將各種功能模塊都集成在一顆芯片上的產物。
而Chiplet則不同,是先將各個功能模塊做成小芯片,之后再封裝到一起,組成系統級芯片。
表面上看,似乎只是制造工序的區別,其實Chiplet與SoC本質的不同是“異構異質”。異構集成,指的是可以將不同工藝的芯片集成到一起。

在SoC中,由于是在一個芯片中進行集成的,所以各個功能模塊必須采用同一工藝制程,要是14nm的都是14nm的,要是7nm的都得是7nm的。
而在Chiplet模式下,不同工藝的芯片可以湊到一起。比如CPU用7nm的,接口芯片用14nm的。這就是異構的概念。
異質集成,是指不同材料的芯片可以集成為一體。SoC肯定是辦不到的。而Chiplet模式下,可以將Si、GaN、InP等等不同材質的小芯片集成到一起。
SiP(system in package)指系統級封裝。通過將多種功能的芯片,包括處理器、存儲器、FPGA等功能芯片集成在一個封裝內,從而實現一個完整的系統。
在概念上來講,SiP與Chiplet很像。并且SiP同樣能夠實現異構異質集成的。而它們兩者的區別在于,SiP是將不同芯片封裝在一個基板上,Chiplet則是封裝到芯片上。
因此,Chiplet還是屬于芯片,而SiP只能算作小系統。Chiplet能達到SoC的性能
而SiP則不一樣,因此Chiplet多用于高性能領域,SiP多用于小型化消費級產品。
| Chiplet的價值
可能有人會說,相比SoC,Chiplet工序既繁瑣、又無法完全超越SoC的性能。但Chiplet確實存在它的意義:
芯片的良品率與芯片面積有關,芯粒技術設計將大芯片分成小模塊可以有效改善良品率,降低因不良率導致的成本增加。
在芯片制造過程中,一片晶圓有固定的缺陷率。遇到這些無法修復的壞點,只能把它剔除掉。在同樣缺陷分布的情況,切割裸片的的尺寸越大,缺陷的影響率就越高。
單顆SoC芯片的尺寸會隨著集成規模的擴大而越來越大。當一顆芯片的尺寸達到400甚至600平方毫米時,芯片的良率就會變得很低。這時采用Chiplet模式,將大芯片拆成一個個小芯片,其芯片的良率將會提高。
芯粒技術通過在芯片設計階段就將Soc(系統級晶片)按照不同功能模塊分解成可重復運用的小芯粒,是一種新形式的IP復用,可大幅度降低設計復雜度和成本累次增加。
在系統級芯片上,很多功能模塊都是標準化的。那么在Chiplet模式下,應用廠商就可以生產出很多標準化的芯粒,下游客戶直接購買芯粒進行封裝就可以了。
這就相當于芯粒的重復使用,無形中降低了開發難度,提升了效率。
此外,Chiplet模式具有異構集成的特點。有時候一顆高性能芯片,只需要CPU滿足更高制程,其他芯片制程低一些沒關系。
在SoC中,所有功能模塊都得跟著最高制程走。而在Chiplet模式下就可以區別配置。由于SoC上所有功能模塊需同步迭代,伴隨制程提高,芯片設計成本隨之大幅增長。在工藝節點為 28nm 時,單顆芯片設計成本約為 0.41 億美元,而工藝節點為 7nm 時,設計成本快速提升至 2.22 億美元。
Chiplet模式下,芯粒可以選擇性迭代,這種復用的結果會明顯節約設計成本、縮短研發周期。
-
一是按照功能將不同模塊拆分,比如AMD的三代銳龍處理器。

二是把具備完整功能的小芯片集合起來(俗稱“芯片堆疊"),目的是實現性能的增長。比如蘋果的M1 Ultra芯片,就是堆疊了兩顆M1 Max芯片,從而獲得兩倍算力。

理論上可以通過Chiplet的堆疊,讓低端產品實現高端產品的性能。
目前A國對中國高端制程芯片的封鎖很嚴密,于是大家就考慮采用Chiplet技術,拿14nm、28nm的芯片堆疊出7nm、5nm的理想化的效果,實際上是做不到的,只能得到“1+1<2”結果。
Chiplet只能說是一種芯片的設計理念,真的要把一個個芯粒拼裝在一起,關鍵得看封裝技術能不能跟得上。
2.5D和3D先進封裝,是配合Chiplet的工藝手段。

2.5D封裝,是目前應用于Chiplet模式的主流方案,整體技術相對比較成熟。
什么是2.5D封裝?說白了就是把一個個芯粒并列排布封裝在一起。
不同芯粒之間如何實現互聯互通,需要在下層PCB板與上層芯粒間,加入一片硅中介板(Silicon Interposer)。

硅中介板本身沒什么特別的,類似于一顆沒有功能的晶圓。但難點在于,要在Interposer內部做很多硅通孔(TSV),起到電氣垂直互聯的作用。
這個工藝難度還是不小的。目前2.5D封裝代表技術有三種,分別是臺積電的CoWoS、英特爾的EMIB以及三星的I-Cube。
3D封裝相比2.5D能夠實現更高密度的堆疊。相比2.5D,小芯片可以直接摞在一起,這就需要在小芯片內直接制作硅通孔(TSV)。因此難度更大。

目前3D封裝技術還不是很成熟。比較完善的是應用在DRAM領域,可以實現100多層的上下堆疊,但這都是同質范疇的,異質堆疊還沒那么快。
3D封裝技術目前主要有臺積電的SoIC、英特爾的Foveros、三星的X-Cube。它們有晶圓制造能力,利用卡位優勢,開發自己的先進封裝技術。
當然傳統封測廠同樣也沒閑著,在2.5D/3D封裝技術上都有布局。比如國內通富微電、長電科技等等。
因此,Chiplet理想很豐滿,但需要依托封裝技術才能實現。
隨著摩爾定律走到極限,芯粒技術被行業普遍認為是未來5年算力的主要提升技術。
華為、AMD、英特爾等行業巨頭都積極布局芯粒并推出相關產品,2022年3月英特爾等多家巨頭聯合推出通用芯粒互聯標準UCle;12月,首個中國小芯片標準發布。
對中國而言,產業中短期內無法破解EUV光刻機卡脖子瓶頸,實現7nm以下工藝難度大,因此芯粒技術或將被寄予厚望,成為我國突破半導體工藝被卡脖子的重要途徑。
芯粒技術是先進制造工藝的補充,而不是顛覆式的替代。
芯粒領域有很多技術挑戰,還要滿足不同應用場景的不同技術訴求,不會只停留在成熟工藝區間。
這意味著我國科研人員依然要攻堅克難,加快多學科協同的技術攻關。